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Fig. 7. Input Admittance
OBSOLETE
IXFR30N110P
Fig. 8. Transconductance
40
55
35
30
50
45
40
T J = - 40oC
25
T J = 125oC
25oC
- 40oC
35
30
25oC
20
25
125oC
15
10
5
0
20
15
10
5
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
90
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
14
12
10
V DS = 550V
I D = 15A
I G = 10mA
50
8
40
6
30
T J = 125oC
20
10
0
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1.000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
10,000
Ciss
0.100
1,000
Coss
0.010
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_30N110P(96) 04-01-08-A
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